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產(chǎn)品分類(lèi)

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號(hào)

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫(kù)存

購(gòu)買(mǎi)數(shù)量

單價(jià)

操作

IPW60R120P7

產(chǎn)品說(shuō)明：通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3

封裝：PG-TO247-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC010N04LST

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS? 5 功率 MOSFET 擴(kuò)大了溫度范圍以提高堅(jiān)固性

封裝：TDSON-8
10起
26800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH5215TRPBF

產(chǎn)品說(shuō)明：采用 PQFN 5x6 封裝的 150V 單通道 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：PQFN-8
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STW35N60DM2
ST

產(chǎn)品說(shuō)明：N溝道600 V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2功率MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP051N15N5

產(chǎn)品說(shuō)明：OptiMOS?5 功率晶體管，150V

封裝：TO-220-3
10起
20000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB100N04S4-H2

產(chǎn)品說(shuō)明：40V N-Ch 2.4 m? OptiMOS?-T2 汽車(chē) MOSFET

封裝：D2PAK
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB042N10N3G

產(chǎn)品說(shuō)明：采用 D2PAK 封裝的 100V OptiMOS? 3 功率 MOSFET

封裝：D2PAK
10起
6000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH7084TRPBF

產(chǎn)品說(shuō)明：采用 PQFN 5x6 封裝的 40V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：PQFN-8
10起
25000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDD60R050G7

產(chǎn)品說(shuō)明：N 通道 600 V 47A（Tc） 278W（Tc） PG-HDSOP-10-1

封裝：PG-HDSOP-10
10起
4400
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC026N08NS5

產(chǎn)品說(shuō)明：用于電信應(yīng)用的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 80V

封裝：TDSON-8
10起
20000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC120N06S5N032

產(chǎn)品說(shuō)明：60V N 溝道汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝：PG-TDSON-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC120N06S5N022

產(chǎn)品說(shuō)明：60V N 溝道汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝：PG-TDSON-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC120N06S5L015

產(chǎn)品說(shuō)明：60V N 溝道汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝：PG-TDSON-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IAUC120N06S5L011

產(chǎn)品說(shuō)明：60V N 溝道汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝：PG-TDSON-8
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD70N12S311

產(chǎn)品說(shuō)明：120V N 溝道 11.1mΩ 汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝：PG-TO252-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB50N10S3L16

產(chǎn)品說(shuō)明：100V N 溝道 15.4mΩ 汽車(chē) MOSFET 晶體管

封裝：PG-TO263-3
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共370記錄?上一頁(yè)1234...24下一頁(yè)?
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