商品名稱:N-通道功率MOSFET
品牌:INFINEON
年份:24+
封裝:PQFN-8
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:25000 件
IRFH7084TRPBF為StrongIRFET? 功率 MOSFET 系列針對低 RDS(導(dǎo)通)和高電流能力進(jìn)行了優(yōu)化。這些器件非常適合要求性能和堅(jiān)固性的低頻應(yīng)用。全面的產(chǎn)品組合可滿足包括直流電機(jī)、電池管理系統(tǒng)、逆變器和直流-直流轉(zhuǎn)換器在內(nèi)的廣泛應(yīng)用。
功能概述
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)表面貼裝電源封裝
產(chǎn)品認(rèn)證符合 JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)
針對開關(guān)頻率低于 100 kHz 的應(yīng)用進(jìn)行了硅優(yōu)化
與上一代硅相比,體二極管更軟
提供廣泛的產(chǎn)品組合
優(yōu)勢
改進(jìn)了柵極、雪崩和動態(tài) dV/dt 強(qiáng)度
全面鑒定電容和雪崩 SOA
增強(qiáng)的體二極管 dV/dt 和 dI/dt 能力
無鉛,符合 RoHS 規(guī)范
IRFH7084TRPBF器件屬性:
FET 類型: N 通道
技術(shù): MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss): 40 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) :100A(Tc)
驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(最大值): 1.25 毫歐 @ 100A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(最大值): 3.9V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(最大值): 190 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(最大值): 6560 pF @ 25 V
功率耗散(最大值): 156W(Tc)
工作溫度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝: 8-PQFN(5x6)
封裝/外殼:8-PowerTDFN
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
答:所有上架的在線商品均可在線即可下單,但也考慮到現(xiàn)貨庫存流動性比較大,目前還無法做到100%的精準(zhǔn)。如有異常,您可以在線聯(lián)系我公司并給出對應(yīng)的 解決方案。
答:我們的自營商品均采自合作的國內(nèi)外原廠或授權(quán)代理商,來源均可追溯,確保原裝正品。
答:目前我們自營代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一線品牌,其他渠道均為原廠及代理渠道。如有需要,我們可以針對具體品牌型號來溝通確認(rèn)。
答:可以通過網(wǎng)站上詢價(jià),也可以通過電話以及郵箱咨詢。
答:大部分商品信息中都有標(biāo)注貨期,您可根據(jù)貨期估計(jì)商品的發(fā)貨時(shí)間,具體到貨時(shí)間根據(jù)商品具體所在的倉庫、您所選擇的物流方式而定。
答:可以為個(gè)人用戶開具普通發(fā)票,也可以為企業(yè)用戶開具增值稅專用發(fā)票。
英飛凌科技公司于1999年4月1日在德國慕尼黑正式成立,是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司之一。其前身是西門子集團(tuán)的半導(dǎo)體部門,于1999年獨(dú)立,2000年上市。其中文名稱為億恒科技,2002年后更名為英飛凌科技。 總部位于德國Neubiberg的英飛凌科技股份公司,為現(xiàn)代社會的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP?AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個(gè)高性能的微控制器,具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設(shè)。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應(yīng)用的需要,在這些應(yīng)用中,價(jià)格/性能、實(shí)時(shí)響應(yīng)性、計(jì)算能…IKA15N60T
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管(IGBT),屬于 TRENCHSTOP? 系列。IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結(jié) (SJ) MOSFET。IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關(guān) IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中,被定義為 “同類最佳 ”IGBT。BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進(jìn)的技術(shù),封裝的工作溫度也隨之改善。IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅(qū)動器,具有獨(dú)立的高壓側(cè)和低壓側(cè)參考輸出通道。電話咨詢:86-755-83294757
企業(yè)QQ:1668527835/ 2850151598/?2850151584/ 2850151585
服務(wù)時(shí)間:9:00-18:00
聯(lián)系郵箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:廣東省深圳市福田區(qū)振中路新亞洲國利大廈1239-1241室
CopyRight?2022 版權(quán)歸明佳達(dá)電子公司所有 粵ICP備05062024號-12
官方二維碼
友情鏈接: