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深圳市明佳達電子有限公司

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產(chǎn)品分類

AI 處理器

AI 加速器

產(chǎn)品圖片

規(guī)格型號

品牌

參數(shù)描述

起訂量

庫存

購買數(shù)量

單價

操作

IPW60R120P7

產(chǎn)品說明：通孔 N 通道 600 V 26A（Tc） 95W（Tc） PG-TO247-3

封裝：PG-TO247-3
10起
10000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW75N65EH5

產(chǎn)品說明：IGBT 溝道 650 V 90 A 395 W 通孔 PG-TO247-3

封裝：PG-TO247-3
10起
50000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSC010N04LST

產(chǎn)品說明：OptiMOS? 5 功率 MOSFET 擴大了溫度范圍以提高堅固性

封裝：TDSON-8
10起
26800
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH5215TRPBF

產(chǎn)品說明：采用 PQFN 5x6 封裝的 150V 單通道 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：PQFN-8
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
STW35N60DM2
ST

產(chǎn)品說明：N溝道600 V、0.094 Ohm、28 A MDmesh DM2功率MOSFET

封裝：TO-247-3
10起
5000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP051N15N5

產(chǎn)品說明：OptiMOS?5 功率晶體管，150V

封裝：TO-220-3
10起
20000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
CM225DX-24S1

產(chǎn)品說明：1200 V 225 A 2單元 IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM150GB120DN2

產(chǎn)品說明：IGBT 模塊 1200V 150A DUAL

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ1600R12HP4

產(chǎn)品說明：1200 V、1600 A 單開關(guān) IGBT 模塊

封裝：AG-IHMB130
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB100N04S4-H2

產(chǎn)品說明：40V N-Ch 2.4 m? OptiMOS?-T2 汽車 MOSFET

封裝：D2PAK
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB042N10N3G

產(chǎn)品說明：采用 D2PAK 封裝的 100V OptiMOS? 3 功率 MOSFET

封裝：D2PAK
10起
6000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IRFH7084TRPBF

產(chǎn)品說明：采用 PQFN 5x6 封裝的 40V 單 N 溝道 StrongIRFET? 功率 MOSFET

封裝：PQFN-8
10起
25000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW75N65ES5

產(chǎn)品說明：采用 TO247 封裝的 650 V 硬開關(guān) TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDD60R050G7

產(chǎn)品說明：N 通道 600 V 47A（Tc） 278W（Tc） PG-HDSOP-10-1

封裝：PG-HDSOP-10
10起
4400
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L032N065M3S
ON

產(chǎn)品說明：碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封裝：TO-247-4
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT025W120G3AG
ST

產(chǎn)品說明：1200 V 汽車級碳化硅功率 MOSFET，27mΩ，56 A，HiP247

封裝：HiP247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
共2451記錄?上一頁1234...154下一頁?
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