深圳市明佳達電子有限公司 供應 英飛凌 IPB60R045P7 600V CoolMOS? P7 N 溝道功率 MOSFET 晶體管

在現(xiàn)代電子工業(yè)中，功率 MOSFET 晶體管作為高效開關器件廣泛應用于電源管理、工業(yè)控制和汽車電子等領域。英飛凌的 CoolMOS? P7 系列以其卓越的性能和可靠性深受市場青睞。深圳市明佳達電子有限公司作為全球知名的電子元器件分銷商，長期供應英飛凌 IPB60R045P7 CoolMOS? P7 N 溝道功率 MOSFET 晶體管，為客戶提供優(yōu)質的產(chǎn)品和專業(yè)的服務。

英飛凌 IPB60R045P7 CoolMOS? P7 產(chǎn)品概述

1、IPB60R045P7 產(chǎn)品描述

IPB60R045P7 600V CoolMOS? P7 超級結 MOSFET 是 600V CoolMOS? P6 系列的后續(xù)產(chǎn)品。它在設計過程中繼續(xù)兼顧高效率和易用性的需求。CoolMOS? 第 7 代平臺同類最佳的 RonxA 和固有的低柵極電荷 (QG) 確保了它的高效率。

2、IPB60R045P7是英飛凌 CoolMOS? P7 系列中的一款高性能 N 溝道功率 MOSFET 晶體管，采用先進的 MOSFET 技術，具有以下主要特性：

高電壓能力： IPB60R045P7 具有高達 650V 的高漏極-源極電壓 (Vdss)，適合高壓應用場合。

低導通電阻： IPB60R045P7 極低的導通電阻大大降低了傳導損耗，提高了整體效率。在 15.9A 電流和 10V 驅動電壓下，導通電阻（Rds On）僅為 45mOhm，有效降低了功耗。

大電流承載能力： IPB60R045P7 在 25°C 時的持續(xù)漏極電流 (Id) 為 48A，可滿足高功率要求。

快速開關性能： 得益于 CoolMOS? P7 平臺的超結技術，IPB60R045P7 器件具有極低的柵極電荷 (QG) 和開關損耗，適用于高頻開關應用。

寬溫度范圍： IPB60R045P7 的工作溫度范圍為 -55°C 至 150°C，適用于惡劣環(huán)境。

集成 ESD 保護： IPB60R045P7 的內置齊納二極管提供高達 2 kV 的靜電放電 (ESD) 保護，提高了器件的可靠性。

優(yōu)化的封裝設計： IPB60R045P7 支持多種通孔和表面貼裝封裝（如 D2PAK），以滿足不同應用場景的需求。

3、IPB60R045P7 的技術優(yōu)勢

高效設計： IPB60R045P7 通過優(yōu)化 RDS(on) 和 QG 的品質因數(shù) (FOM)，實現(xiàn)了更高的效率，因此特別適用于 PFC 和 LLC 等硬開關和軟開關拓撲結構。

易于使用： 集成的柵極電阻器 (RG) 降低了振蕩靈敏度，簡化了設計流程。此外，其低振鈴趨勢和出色的體二極管穩(wěn)健性進一步降低了設計復雜性。

優(yōu)異的熱性能： 低開關損耗和傳導損耗使器件能夠在高溫環(huán)境下保持穩(wěn)定運行，因此適合高功率密度設計。

4、IPB60R045P7 的特性和優(yōu)勢

600V P7 可實現(xiàn)出色的 FOM RDS(on)xEoss 和 RDS(on)xQG

易于使用

ESD 強度≥ 2kV（HBM 等級 2）

集成柵極電阻器 RG

堅固的體二極管

通孔和表面貼裝封裝的廣泛產(chǎn)品組合

提供標準級和工業(yè)級器件

出色的 FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss 可實現(xiàn)更高的效率

易于使用

通過阻止 ESD 故障的發(fā)生，實現(xiàn)制造環(huán)境中的易用性

集成 RG 可降低 MOSFET 的振蕩靈敏度

MOSFET 適用于 PFC 和 LLC 等硬開關拓撲和諧振開關拓撲

在 LLC 拓撲中出現(xiàn)的體二極管硬換向期間具有出色的堅固性

適用于各種終端應用和輸出功率

提供適用于消費和工業(yè)應用的部件

5、IPB60R045P7 的應用

工業(yè)電源： 包括服務器電源、通信設備和工業(yè) SMPS，其高性能和可靠性可滿足惡劣工業(yè)環(huán)境的需求。

消費電子產(chǎn)品： 適用于電視電源、適配器和充電器，有助于實現(xiàn)微型化和高性能設計目標。

新能源：在太陽能逆變器和電動汽車充電樁中充分體現(xiàn)了高性能和低損耗的特點。