CoolMOS? 第 7 代平臺是用于高電壓功率 MOSFET 的革命性技術。(SJ)原理設計，并由英飛凌技術公司率先推出。IPB60R045P7是繼 CoolMOS?P6 系列之后的又一成功產品。它將快速開關 SJMOSFET 的優(yōu)點與出色的易用性結合在一起，例如非常容易使用。它將快速開關 SJMOSFET 的優(yōu)點與出色的易用性結合在一起，例如極低的振鈴瞬時、出色的體。它結合了快速開關 SJMOSFET 的優(yōu)點和出色的易用性，如極低的繞組延時、出色的本體穩(wěn)健性、抗劇烈突變的二極管和出色的 ESD 能力。

產品屬性

FET 類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：600 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：61A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：45 毫歐 @ 22.5A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 1.08mA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：90 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：3891 pF @ 400 V

功率耗散（最大值）：201W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：PG-TO263-3-2

封裝/外殼：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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