NTMYS5D3N04CTWG是工業(yè)用40V單N通道MOSFET器件，占位面積小 (5mm x 6mm)，非常適合用于緊湊型設計。器件具有低漏極-源極導通電阻，可最大限度地降低導通損耗，并具有低柵極電荷和電容，可最大限度地降低驅(qū)動器損耗。該工業(yè)級功率MOSFET不含鉛，符合RoHS指令，具有較寬的工作溫度范圍（-55°C至+175°）。

產(chǎn)品規(guī)格：

FET 類型：N 通道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：40 V

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：19A（Ta），71A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：5.3 毫歐 @ 35A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 40μA

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：16 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1000 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.6W（Ta），50W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

供應商器件封裝：LFPAK4（5x6）

封裝/外殼：SOT-1023，4-LFPAK

基本產(chǎn)品編號：NTMYS5

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