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AI 處理器

AI 加速器

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IKW75N65EH5

產品說明：IGBT 溝道 650 V 90 A 395 W 通孔 PG-TO247-3

封裝：PG-TO247-3
10起
50000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ1600R12HP4

產品說明：1200 V、1600 A 單開關 IGBT 模塊

封裝：AG-IHMB130
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKW75N65ES5

產品說明：采用 TO247 封裝的 650 V 硬開關 TRENCHSTOP? 5 S5 IGBT

封裝：TO-247-3
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IFS200B12N3E4B31

產品說明：1200V 200A Sixpack IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L600R10W4S7FH11

產品說明：950V 600A 3 級 IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ750R65KE3P2

產品說明：6500V 750A 單開關 IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FZ1000R65KE4P2

產品說明：6500V 1000A 單開關 IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
2000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
F3L6MR20W2M1HB70

產品說明：2000V，CoolSiC? MOSFET Easy 2B IGBT 模塊

封裝：模塊
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH70N67PR7

產品說明：670 V、70 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH60N67PR7

產品說明：670 V、60 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH50N67PR7

產品說明：670 V、50 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
IKWH40N67PR7

產品說明：670 V、40 A TRENCHSTOP? IGBT7 PR7，帶反并聯(lián)二極管，采用 TO-247-3 針高爬電和間隙封裝

封裝：TO-247-3
10起
1000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
DD450S45T3E4B5

產品說明：4500V、450A XHP? 3二極管IGBT模塊

封裝：模塊
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
GS-065-018-6-LR-MR

產品說明：氮化鎵晶體管 - 700V 增強模式 CoolGaN? 晶體管

封裝：PG-VSON-8
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS520R12A8P1LB

產品說明：1200V，520A HybridPACK? Drive G2 模塊

封裝：模塊
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
FS03MR12A7MA2B

產品說明：HybridPACK? Drive G2 CoolSiC? - 緊湊型 1200V/310A B6 橋功率模塊

封裝：模塊
10起
3000
1　+
10 +
25 +
50 +
>=100
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