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onsemi NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET的主要特性

onsemi NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET的主要特性

來(lái)源：本站時(shí)間：2024-07-22瀏覽數(shù)：

概述：NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)…

概述：

NVMYS9D3N06CLTWG功率MOSFET是一款60V、9.2m?單N溝道MOSFET，采用緊湊高效的設(shè)計(jì)，具有較高的散熱性能。該MOSFET具有低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗，另外還具有低柵極電荷（QG）和電容，可最大限度地降低驅(qū)動(dòng)器損耗。NVMYS9D3N06CL功率MOSFET符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)，具有PPAP功能。該MOSFET適合用于電池反向保護(hù)、電源開(kāi)關(guān)、開(kāi)關(guān)電源以及其他需要增強(qiáng)板級(jí)可靠性的汽車(chē)應(yīng)用。


主要特性：

占位面積小 (5mm x 6mm)，設(shè)計(jì)緊湊

低RDS(ON)，可最大限度地降低導(dǎo)通損耗

QG 和電容較小，可使驅(qū)動(dòng)器損耗最小化

漏極-源極電壓（VDSS）：60V

連續(xù)漏極電流（ID）：50A（TC = 25°C時(shí)）

漏極-源極導(dǎo)通電阻（RDS(on)）：9.2mΩ

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)LFPAK4封裝

符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)并具有PPAP功能

無(wú)鉛，符合RoHS指令


應(yīng)用

反向電池保護(hù)

電源開(kāi)關(guān)（如高側(cè)驅(qū)動(dòng)器、低側(cè)驅(qū)動(dòng)器和半橋）

電磁驅(qū)動(dòng)器

電機(jī)控制

負(fù)載開(kāi)關(guān)

開(kāi)關(guān)電源


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