最新資訊概述：GS6100x 100V E-HEMT晶體管是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件。這些晶體管具有GaN的特性，可提供高電流、高擊穿電壓和極高的開關(guān)頻率。GS6100x晶體管采用島式技術(shù)單元布局，以提供高電流芯片和高產(chǎn)量。它們還采用GaNPX封裝，在小封裝中提供低電導(dǎo)和低熱阻。GS6100x晶體管…
概述：
GS6100x 100V E-HEMT晶體管是增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件。這些晶體管具有GaN的特性，可提供高電流、高擊穿電壓和極高的開關(guān)頻率。GS6100x晶體管采用島式技術(shù)單元布局，以提供高電流芯片和高產(chǎn)量。它們還采用GaNPX封裝，在小封裝中提供低電導(dǎo)和低熱阻。GS6100x晶體管為高功率應(yīng)用提供極低的結(jié)至外殼熱阻。所有這些特性相結(jié)合，提供了非常高效的電源開關(guān)。
GS61008T-MR 參數(shù)：
技術(shù)：GaN-on-Si
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：GaNpx
晶體管極性：N-Channel
通道數(shù)量：1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：100 V
Id-連續(xù)漏極電流：90 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：9.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：- 10 V, + 7 V
Vgs th-柵源極閾值電壓：1.1 V
Qg-柵極電荷：8 nC
最小工作溫度：- 55°C
最大工作溫度：+ 150°C
Pd-功率耗散：-
通道模式：Enhancement
商標(biāo)名：GaNPX
系列：GS6100x
配置：Single
開發(fā)套件：GS61008P-EVBHF
濕度敏感性：Yes
產(chǎn)品類型：MOSFET
單位重量：3 g
應(yīng)用：
不間斷電源(UPS)
工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)
機(jī)器人學(xué)
無線電力傳輸
快速電池充電
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