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供應(yīng) CY15B128Q-SXET 一款128Kb (16K × 8) 汽車-E 系列 (SPI) F-RAM

供應(yīng) CY15B128Q-SXET 一款128Kb (16K × 8) 汽車-E 系列 (SPI) F-RAM

來源:本站時間:2025-01-14瀏覽數(shù):

產(chǎn)品說明:CY15B128Q-SXET 是一款 128 Kb 非易失性存儲器,采用先進(jìn)的鐵電工藝。F-RAM 是非易失性的,執(zhí)行讀取和寫入操作類似于 RAM。它提供 121 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器導(dǎo)致的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。與串行閃存和…

產(chǎn)品說明:

CY15B128Q-SXET 是一款 128 Kb 非易失性存儲器,采用先進(jìn)的鐵電工藝。F-RAM 是非易失性的,執(zhí)行讀取和寫入操作類似于 RAM。它提供 121 年的可靠數(shù)據(jù)保留,同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器導(dǎo)致的復(fù)雜性、開銷和系統(tǒng)級可靠性問題。


與串行閃存和 EEPROM 不同,CY15B128Q-SXET以總線速度執(zhí)行寫入操作。不會產(chǎn)生寫入延遲。在每個字節(jié)成功傳輸?shù)狡骷?,?shù)據(jù)會立即寫入內(nèi)存數(shù)組。下一個總線周期可以開始,而無需數(shù)據(jù)輪詢。此外,與其他非易失性存儲器相比,該產(chǎn)品具有很強(qiáng)的寫入耐久性。CY15B128Q 能夠支持 1013 個讀/寫周期,或比 EEPROM 多 1000 萬倍的寫入周期。


這些功能使 CY15B128Q-SXET 非常適合需要頻繁或快速寫入的非易失性存儲器應(yīng)用程序。示例包括數(shù)據(jù)記錄(寫入周期數(shù)可能很關(guān)鍵)和要求苛刻的工業(yè)控制(串行閃存或 EEPROM 的長寫入時間可能導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失)。


規(guī)格:

存儲器類型:非易失

存儲器格式:FRAM

技術(shù):FRAM(鐵電體 RAM)

存儲容量:128Kb

存儲器組織:16K x 8

存儲器接口:SPI

時鐘頻率:33 MHz

寫周期時間 - 字,頁:-

訪問時間:9 ns

電壓 - 供電:2.7V ~ 3.6V

工作溫度:-40°C ~ 125°C(TA)

安裝類型:表面貼裝型

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SOIC

基本產(chǎn)品編號:CY15B128


應(yīng)用:

汽車車身控制模塊 (BCM)

汽車主機(jī)

CY15B128Q-SXET.jpg

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