隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關(guān)重要。安森美最新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合為數(shù)據(jù)中心應用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了無與倫比的能效和卓越的熱性能。與…
隨著數(shù)據(jù)中心為了滿足人工智能計算的龐大處理需求而變得越來越耗電，提高能效變得至關(guān)重要。安森美最新一代T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V MOSFET的強大組合為數(shù)據(jù)中心應用提供了一種完整解決方案，該方案在更小的封裝尺寸下提供了無與倫比的能效和卓越的熱性能。
與一般的搜索引擎請求相比，搭載人工智能的引擎需要消耗超過10倍的電力，預計在未來不到兩年的時間，全球數(shù)據(jù)中心的電力需求將達到約1,000太瓦時（TWh） 。從電網(wǎng)到處理器，電力需要經(jīng)過四次轉(zhuǎn)換來為人工智能請求的處理提供電能，這可能導致約12%的電力損耗。通過使用T10 PowerTrench系列和EliteSiC 650V解決方案，數(shù)據(jù)中心能夠減少約1%的電力損耗。如果在全球的數(shù)據(jù)中心實施這一解決方案，每年可以減少約10太瓦時的能源消耗，相當于每年為近百萬戶家庭提供全年的用電量 。
EliteSiC 650V MOSFET提供了卓越的開關(guān)性能和更低的器件電容，可在數(shù)據(jù)中心和儲能系統(tǒng)中實現(xiàn)更高的效率。與上一代產(chǎn)品相比，新一代碳化硅(SiC) MOSFET的柵極電荷減半，并且將儲存在輸出電容(Eoss)和輸出電荷(Qoss)中的能量均減少了44%。與超級結(jié) (SJ) MOSFET 相比，它們在關(guān)斷時沒有拖尾電流，在高溫下性能優(yōu)越，能顯著降低開關(guān)損耗。這使得客戶能夠在提高工作頻率的同時減小系統(tǒng)元件的尺寸，從而全面降低系統(tǒng)成本。
另外，T10 PowerTrench 系列專為處理對DC-DC功率轉(zhuǎn)換級至關(guān)重要的大電流而設計，以緊湊的封裝尺寸提供了更高的功率密度和卓越的熱性能。這是通過屏蔽柵極溝槽設計實現(xiàn)的，該設計具有超低柵極電荷和小于 1 毫歐的導通電阻RDS(on)。此外，軟恢復體二極管和較低的 Qrr 有效地減少了振鈴、過沖和電氣噪聲，從而確保了在壓力下的最佳性能、可靠性和穩(wěn)健性。T10 PowerTrench 系列還符合汽車應用所需的嚴格標準。
該組合解決方案還符合超大規(guī)模運營商所需的嚴格的開放式機架 V3 (ORV3) 基本規(guī)范，支持下一代大功率處理器。
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