HMC521ALC4TR是一款結(jié)構(gòu)緊湊的砷化鎵（GaAs）單片微波集成電路（MMIC）同相正交（I/Q）混頻器，采用符合 RoHS 規(guī)范的 24 端子陶瓷無引線芯片載體（LCC）封裝。該器件既可用作圖像抑制混頻器，也可用作單邊帶上變頻器?；祛l器使用兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)雙平衡混頻器單元和一個(gè) 90° 混合耦合器，采用砷化鎵金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MESFET) 工藝制造。該器件體積更小，可替代混合式圖像抑制混頻器和單邊帶上變頻組件。HMC521ALC4TR無需接線，因此可以使用表面貼裝制造技術(shù)。

HMC521ALC4TR特點(diǎn)

下變頻器，8.5 GHz 至 13.5 GHz

轉(zhuǎn)換損耗： 典型值：9 dB

圖像抑制：典型值 27.5 dBc

LO 與射頻隔離 典型值：39 dB

輸入 IP3：典型值 16 dBm

寬 IF 帶寬：直流至 3.5 GHz

3.9 mm × 3.9 mm、24 端子 LCC 封裝：16 mm2

HMC521ALC4TR應(yīng)用

微波和甚小口徑終端 (VSAT) 無線電設(shè)備

測(cè)試設(shè)備

軍用電子戰(zhàn) (EW)；電子對(duì)抗 (ECM)；電子

電子對(duì)抗 (ECM) 以及指揮、控制、通信和情報(bào) (C3I)

通信和情報(bào) (C3I)

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