IXSA40N120L2-7是一款工業(yè)級單管碳化硅MOSFET（SiC MOSFET），具有優(yōu)異的功率循環(huán)特性和快速、低損耗的開關(guān)行為。

應(yīng)用領(lǐng)域

IXSA40N120L2-7適用于多種高功率和高頻率的應(yīng)用場景，包括：

太陽能逆變器

開關(guān)模式電源

不間斷電源

電機(jī)驅(qū)動

DC/DC轉(zhuǎn)換器

電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施

感應(yīng)加熱

技術(shù)參數(shù)

封裝 / 箱體：TO-263-7L

晶體管極性：N-Channel

通道數(shù)量：1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓：1.2 kV

Id-連續(xù)漏極電流：41 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：104 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓：- 5 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓：4.5 V

Qg-柵極電荷：53 nC

最小工作溫度：- 55 C

最大工作溫度：+ 175 C

Pd-功率耗散：250 W

通道模式：Enhancement

商標(biāo)：IXYS

配置：Single

下降時(shí)間：9.5 ns

封裝：Reel

封裝：Cut Tape

產(chǎn)品：MOSFETs

產(chǎn)品類型：SiC MOSFETS

上升時(shí)間：14.4 ns

系列：IXSA40N120L2-7

晶體管類型：1 N-Channel

類型：SiC MOSFET

典型關(guān)閉延遲時(shí)間：11.5 ns

典型接通延遲時(shí)間：5.6 ns

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