商品名稱：GaN HEMT – 氮化鎵晶體管
品牌：INFINEON
年份：24+
封裝：PG-TSON-6
貨期：全新原裝
庫存數(shù)量：3000 件
IGC037S12S1 是一款 120 V 常閉型電動功率晶體管，采用小型 PQFN 3x5 封裝，可實現(xiàn)高功率密度設計。由于其極低的導通電阻，它是在要求苛刻的高電壓和大電流應用中實現(xiàn)可靠性能的理想選擇。
特點：
? 超快速開關和高效率
? 節(jié)省空間且高度堅固的封裝
? 無反向恢復費用
? 超低柵極電荷和輸出電荷
? 裸露芯片可實現(xiàn)卓越的頂部散熱
? 濕度等級 MSL1
? 工業(yè)級 3x5 封裝
應用：
? 電池供電工具
? AC-DC 和 DC-DC 轉換器的同步整流
? 機器人和無人機
? 電動汽車、無人機
? 太陽能和儲能系統(tǒng)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一個高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和數(shù)據(jù)存儲器、總線、總線仲裁、中斷控制器、外圍控制處理器和DMA控制器以及若干片上外設。TC1791旨在滿足最苛刻的嵌入式控制系統(tǒng)應用的需要，在這些應用中，價格/性能、實時響應性、計算能…
IKA15N60T
IKA15N60T是一款高性能絕緣柵雙極晶體管（IGBT），屬于 TRENCHSTOP? 系列。
IPW60R120P7
IPW60R120P7 是 600V CoolMOS? P7 超結 (SJ) MOSFET。
IKW75N65EH5
IKW75N65EH5 高速 650 V、硬開關 IGBT TRENCHSTOP? 5 與 RAPID 1 快速軟反并聯(lián)二極管共同封裝在 TO-247 封裝中，被定義為 “同類最佳 ”IGBT。
BSC010N04LST
BSC010N04LST是采用 SuperSO8 封裝的 OptiMOS? 5 功率 MOSFET 彰顯出先進的技術，封裝的工作溫度也隨之改善。
IRS2110SPBF
IRS2110SPBF是高壓、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驅動器，具有獨立的高壓側和低壓側參考輸出通道。電話咨詢：86-755-83294757
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