商品名稱:32位微控制器 - MCU
品牌:Renesas
年份:24+
封裝:TFBGA-100
貨期:全新原裝
庫(kù)存數(shù)量:3000 件
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Renesas R5F523E5LGBS RX23E-B是一款32位微控制器?,具體特點(diǎn)如下:
型號(hào):R5F523E5LGBS
封裝:TFBGA-100
類型:RX23E-B系列 - 32位微控制器?MCU
產(chǎn)品詳情:32MHz,32位微控制器,集成 24 位 Delta-Sigma 模/數(shù)轉(zhuǎn)換器,速率高達(dá) 125kSPS。
概述:
R5F523E5LGBS:RX23E-B 系列微控制器具有內(nèi)置模擬前端 (AFE),是工業(yè)傳感器設(shè)備的理想選擇。 與上一代的 RX23E-A 相比,RX23E-B 的24 位 Delta Sigma 模/數(shù)轉(zhuǎn)換器在高速性能和噪聲性能上均得到了改善。最大數(shù)據(jù)速率為 125kSPS,這對(duì)于 Delta Sigma 模/數(shù)轉(zhuǎn)換器來(lái)說(shuō)速度很快,比 RX23E-A 快 8 倍。
?核心性能?:搭載RXv2核心,適用于DSP/FPU演算,能在單芯片上實(shí)現(xiàn)高精度測(cè)量、控制和通信。
?內(nèi)存配置?:具有128KB閃存,滿足復(fù)雜應(yīng)用需求。
?A/D轉(zhuǎn)換器?:內(nèi)置24位ΔΣA/D轉(zhuǎn)換器,數(shù)據(jù)速率和噪聲性能優(yōu)越,最大數(shù)據(jù)傳輸速率為125kSPS,比RX23E-A快8倍,RMS噪聲降低到RX23E-A的三分之一左右。
?擴(kuò)展功能?:配備16位D/A轉(zhuǎn)換器和+/-10V模擬輸入,采用TFBGA-100封裝。
?應(yīng)用領(lǐng)域?:壓力控制、LVDT 位移測(cè)量。
綜上所述,Renesas R5F523E5LGBS RX23E-B微控制器是一款功能強(qiáng)大、性能優(yōu)越的微控制器,適用于多種高精度測(cè)量和控制應(yīng)用?。
型號(hào)
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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RAJ306102GNP
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F6101NTGK 是一款 8 通道接收器硅集成電路,采用 SiGe BiCMOS 工藝設(shè)計(jì),適用于 Ku 波段 SATCOM 相控陣應(yīng)用。核心集成電路具有 6 位相位控制功能,每個(gè)通道的增益控制超過(guò) 30dB,可實(shí)現(xiàn)精細(xì)波束轉(zhuǎn)向和通道間增益補(bǔ)償。該器件具有 15. 5dB 標(biāo)稱電增益和 -23dBm IP1dB。核心…F6102NTGK
F6102NTGK 是一款 8 元素接收器硅集成電路,采用 SiGe BiCMOS 工藝設(shè)計(jì),適用于 Ka 波段 SATCOM 相控陣應(yīng)用。核心集成電路具有 6 位相位控制和每個(gè)通道 30dB 增益控制,可實(shí)現(xiàn)輻射元件之間的精細(xì)波束轉(zhuǎn)向和增益補(bǔ)償。該器件具有 16dB 標(biāo)稱電增益和 -30dBm IP1dB。在工作頻…F6103NTGK
F6103NTGK 是一款 8 通道接收器集成電路,采用 SiGe BiCMOS 工藝設(shè)計(jì),適用于 CDL 相控陣應(yīng)用。該核心集成電路具有 6 位相位控制和每個(gè)通道 30dB 增益控制,可實(shí)現(xiàn)輻射通道之間的精細(xì)波束轉(zhuǎn)向和增益補(bǔ)償。該器件具有 17dB 標(biāo)稱電增益和 -31dBm IP1dB。在工作頻率范圍內(nèi),…F6513AVGI8
F6513AVGI8 是一款 8 通道發(fā)射有源波束成形射頻集成電路,設(shè)計(jì)用于通信或雷達(dá)應(yīng)用中的 Ku 波段平面相控陣天線。該集成電路有一個(gè)公共射頻輸入端口和八個(gè)輸出通道。八個(gè)獨(dú)立控制的輸出通道可驅(qū)動(dòng)電子掃描陣列(ESA)的八個(gè)單極化元件或四個(gè)雙極化元件。每個(gè)通道都有 6 位數(shù)…F6123AVGI
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