STM32U535RET6 器件屬于超低功耗微控制器系列,基于高性能 Arm? Cortex?-M33 32 位 RISC 內核。它們的工作頻率高達 160 MHz。
Cortex?-M33 內核具有單精度 FPU(浮點運算單元),支持所有 Arm? 單精度數據處理指令和所有數據類型。
Cortex?-M33 內核還實現了全套 DSP(數字信號處理)指令和 MPU(存儲器保護單元),從而提高了應用的安全性。
STM32U535RET6 的特性
包含意法半導體最先進的專利技術
利用FlexPowerControl實現超低功耗
1.71 V 至 3.6 V 電源
-40 °C 至 +85/125 °C 溫度范圍
低功耗背景自主模式 (LPBAM):帶 DMA 的自主外設,功能低至停止 2 模式
VBAT 模式:為 RTC、32 x 32 位備份寄存器和 2KB 備份 SRAM 供電
4 至 50 MHz 晶體振蕩器
用于 RTC 的 32 kHz 晶體振蕩器(LSE)
內部 16 MHz 工廠微調 RC(±1)
內部低功耗 32 kHz RC(±5)
2 個內部多速 100 kHz 至 48 MHz 振蕩器,包括一個由 LSE 自動微調的振蕩器(精度優(yōu)于 ±0.25)
帶時鐘恢復功能的內部 48 MHz
用于系統(tǒng)時鐘、USB、音頻、ADC 的 3 個 PLL
型號
品牌
封裝
數量
描述
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意法半導體(ST)集團于1987年成立,是由意大利的SGS微電子公司和法國Thomson半導體公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics將公司名稱改為意法半導體有限公司。意法半導體是世界最大的半導體公司之一。公司2019年全年凈營收95.6億美元; 毛利率38.7%;營業(yè)…
STW48N60M6
STW48N60M6 是由意法半導體(STMicroelectronics)生產的 N 溝道功率 MOSFET,屬于 MDmesh? M6 系列。STF22NM60N
STF22NM60N是采用第二代 MDmesh? 技術開發(fā)的 N 溝道功率 MOSFET。STM32F302K8U6TR
STM32F302K8U6TR 是 STMicroelectronics 推出的一款基于 ARM Cortex-M4 內核的高性能微控制器VN7140ASTR
VN7140ASTR是單通道高壓側驅動器,采用意法半導體專有的 VIPower M0-7 技術制造,采用 SO-8 封裝。STA5635
STA5635 是一款高性能、高集成度的射頻前端模塊 (FEM),專為 2.4 GHz 無線通信應用設計。VND7030AJTR
VND7030AJTR該器件是一款雙通道高壓側驅動器,采用意法半導體專有的 VIPower M0- 7 技術制造,采用 PowerSSO-16 封裝。電話咨詢:86-755-83294757
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