IXFN50N120SIC 是一款 N 溝道 1200V 47A SiC MOSFET 模塊。

規(guī)格

類型： HiperFET HiperFET

技術(shù)： SiC 碳化硅

Vgs - 柵極源極電壓：- 20 V，+ 20 V

安裝方式：螺釘安裝 螺釘安裝

封裝/外殼：SOT-227-4

最低工作溫度：- 55 C

最高工作溫度 + 155 C

配置 單通道

下降時(shí)間：19 ns

Id - 持續(xù)漏極電流：47 A

通道數(shù) 1 通道

Rds On - 漏極-源極電阻： 50 mOhms

上升時(shí)間：9 毫微秒

晶體管極性 N 溝道

典型關(guān)斷延遲時(shí)間：75 ns

典型導(dǎo)通延遲時(shí)間：23 ns

Vds - 漏極-源極擊穿電壓：1.2 kV

Vgs th - 柵極-源極閾值電壓：2 V

單位重量：59.703 克

特點(diǎn)

高速開關(guān)，低電容

阻斷電壓高，RDS（導(dǎo)通）低

易于并聯(lián)，驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單

雪崩堅(jiān)固耐用

抗閂鎖

應(yīng)用

太陽能逆變器

高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

開關(guān)模式電源

不間斷電源

電池充電器

感應(yīng)加熱

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