安森美NVHL015N065SC1碳化硅MOSFET采用N溝道，具有高效率、更快的工作頻率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系統(tǒng)尺寸。NVHL015N065SC1 MOSFET具有低導(dǎo)通電阻和緊湊的芯片尺寸，這樣確保了低的電容和柵極電荷。

特性

RDS(on)= 12mΩ（VGS= 18V時）

RDS(on)= 15mΩ（VGS= 15V時）

漏-源電壓：650V

超低柵極電荷（QG(tot)= 283nC）

高速開關(guān)、低電容（Coss= 430pF）

產(chǎn)品屬性

FET 類型： N 通道  

技術(shù)： MOSFET（金屬氧化物）  

漏源電壓（Vdss）： 650 V  

25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)： 163A（Tc）  

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）： 15V，18V  

不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）： 18 毫歐 @ 75A，12V  

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）： 4.3V @ 25mA  

不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）： 283 nC @ 18 V  

Vgs（最大值）： +22V，-8V  

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）： 4790 pF @ 325 V    

功率耗散（最大值）： 643W（Tc）  

工作溫度： -55°C ~ 175°C（TJ）  

等級： 汽車級  

資質(zhì)： AEC-Q101  

安裝類型： 通孔  

供應(yīng)商器件封裝： TO-247-3 

應(yīng)用

汽車板載充電器

汽車直流/直流轉(zhuǎn)換器（用于EV/HEV）

汽車牽引逆變器

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