商品名稱:STM32L051R8T7
數(shù)據(jù)手冊:STM32L051R8T7.pdf
品牌:ST
年份:23+
封裝:WLCSP36
貨期:全新原裝
庫存數(shù)量:1000 件
STM32L051R8T7 L0 超低功耗微控制器經(jīng)過優(yōu)化,可實現(xiàn)出色的低功耗。成為具有突破性性能的、真正的超低功率型微控制器。 獨具 ARM? Cortex?-M0+ 核心和 STM32 超低功耗特性,非常適合采用電池或電能采集供電的應(yīng)用、同時也是世界上 125°C 溫度下功耗最低的微控制器。
特性
● 超低功耗平臺
● 1.65V 至 3.6V 電源
● -40°C 至 +125°C 溫度范圍
● 0.27μA 待機模式(2 個喚醒引腳)
● 0.4μA 停止模式(16 條喚醒線)
● 0.8μA 停止模式 + RTC + 8KB RAM 保留
● 3.5μs 喚醒時間(從 RAM 喚醒)
● 5μs 喚醒時間(從閃存喚醒)
型號
品牌
封裝
數(shù)量
描述
INFINEON
BGA
3000
TriCore? TC17xx 微控制器 IC 32 位單核 240MHz 4MB(4M x 8) 閃存 PG-LFBGA-292-6
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STM32L151V8T6A
STM32L151V8T6A超低功率微控制器是基于 ARM Cortex-M3 的 STM32,采用 ST 專有的超低漏電工藝技術(shù),具有創(chuàng)新的自主動態(tài)電壓調(diào)節(jié)功能和 5 個低功率模式,提供了前所未有的平臺靈活性,適用于任何應(yīng)用。VND5E025AKTR-E
VND5E025AKTR-E是一款雙通道高壓側(cè)驅(qū)動器,采用意法半導(dǎo)體專有的 VIPower M0-5 技術(shù)制造,采用微型 PowerSSO-24 封裝。STL135N8F7AG
這款STL135N8F7AG N 溝道功率 MOSFET 采用 STripFET? F7 技術(shù),具有增強型溝槽柵極結(jié)構(gòu),導(dǎo)通電阻極低,同時還能降低內(nèi)部電容和柵極電荷,從而實現(xiàn)更快、更高效的開關(guān)。VN7010AJTR
VN7010AJTR器件是一款單通道高壓側(cè)驅(qū)動器,采用意法半導(dǎo)體專有的 VIPower M0-7 技術(shù)制造,采用 PowerSSO-16 封裝。STTH30RQ06GY
STTH30RQ06GY專為需要高壓次級整流的 LLC 全橋拓?fù)鋺?yīng)用而開發(fā)。STW40N95K5
這款STW40N95K5超高電壓 N 溝道功率 MOSFET 采用基于創(chuàng)新型專有垂直結(jié)構(gòu)的 MDmesh? K5 技術(shù)設(shè)計而成。電話咨詢:86-755-83294757
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